型号: IXTA6N50D2
功能描述: MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 96 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
封装: Tube
高度: 4.83 mm
长度: 9.65 mm
系列: IXTA6N50
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Depletion Mode MOSFET
宽度: 10.41 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 2.8 S
下降时间: 43 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 72 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 82 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 1.600 g
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