型号: IXTD1R4N60P 11
功能描述: MOSFET N-CH 600V
制造商: IXYS
包装: 管件
系列: PolarHV™
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 9 欧姆 @ 700mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5.5V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 5.2nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 140pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 50W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 模具
封装/外壳: 模具
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