型号: IXTH12N65X2
功能描述:
制造商: IXYS
通道类型： N
最大连续漏极电流： 12 A
最大漏源电压： 650 V
最大漏源电阻值： 0.3 0hms
最大栅阈值电压： 4.5V
最小栅阈值电压： 2.5V
最大栅源电压： -30 V、+30 V
封装类型： TO-247
安装类型： 通孔
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
类别： 功率 MOSFET
最大功率耗散： 180 W
宽度： 21.45mm
最高工作温度： +150 °C
最低工作温度： -55 °C
高度： 5.3mm
每片芯片元件数目： 1
正向跨导： 11S
正向二极管电压： 1.4V
系列： X2-Class
尺寸： 16.24 x 21.45 x 5.3mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 17.7 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1100 pF @ 25 V
典型关断延迟时间： 52 ns
典型接通延迟时间： 23 ns
长度： 16.24mm
无铅情况/RoHs： 否
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