型号: IXTH150N17T
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 175V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 150A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 155nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 9800pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 830W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 12 毫欧 @ 75A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247（IXTH）
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：陈佳丽
电话：13076307850
Q Q:
联系人：翁万吉
Q Q:
联系人：苏晓豪
电话：13692086973
Q Q:
