型号: IXTH1N170DHV
功能描述: MOSFET N-CH
制造商: IXYS
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1700V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 0V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 16 欧姆 @ 500mA，0V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 47nC @ 5V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3090pF @ 25V
FET 功能: 耗尽模式
功率耗散（最大值）: 290W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247HV
封装/外壳: TO-247-3 变式
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