型号: IXTH2N300P3HV
功能描述:
制造商: IXYS
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 3000V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 73nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1890pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 520W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 21 欧姆 @ 1A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 否
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Q Q:
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Q Q:
