型号: IXTH420N04T2
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 420A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 315nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 19700pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 935W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 2 毫欧 @ 100A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-247（IXTH）
封装/外壳： TO-247-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：王小飞
电话：18768342458
Q Q:
联系人：姜晓磊
电话：13510901035
Q Q:
联系人：黄海洋
电话：13725501517
Q Q:
