型号:  IXTH500N04T2

功能描述:  MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-247-3

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  40 V

Id-连续漏极电流:  500 A

Rds On-漏源导通电阻:  1.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  405 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  1 kW

通道模式:  Enhancement

商标名:  HiPerFET

封装:  Tube

高度:  21.46 mm

长度:  16.26 mm

系列:  IXTH500N04

类型:  TrenchT2 Power MOSFET

宽度:  5.3 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  75 S

下降时间:  44 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  16 ns

工厂包装数量:  30

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  68 ns

典型接通延迟时间:  37 ns

单位重量:  1.600 g