型号: IXTH6N50D2
功能描述: MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 6 A
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 96 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Depletion
封装: Tube
系列: IXTH6N50
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 2.8 S
下降时间: 43 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 72 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 82 ns
典型接通延迟时间: 28 ns
单位重量: 6.500 g
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：彭先生，许娜
电话：19068068798
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：严华
电话：18936145182
Q Q:
联系人：曾先生
电话：18002563597
Q Q:
联系人：胡培义
Q Q:
