型号: IXTH76P10T
功能描述: MOSFET -76 Amps -100V 0.024 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 76 A
Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
Qg-栅极电荷: 197 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 298 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchP
封装: Tube
高度: 21.46 mm
长度: 16.26 mm
系列: IXTH76P10
类型: TrenchP Power MOSFET
宽度: 5.3 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 35 S
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 52 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
单位重量: 6.500 g
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