型号: IXTK120P20T
功能描述: MOSFET TrenchP Power MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 15 V
Qg-栅极电荷: 740 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.04 kW
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchP
封装: Tube
高度: 26.59 mm
长度: 20.29 mm
系列: IXTK120P20
类型: TrenchP Power MOSFET
宽度: 5.31 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 85 S
下降时间: 50 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 85 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 200 ns
典型接通延迟时间: 90 ns
单位重量: 7.500 g
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