型号: IXTK8N150L
功能描述: MOSFET 8 Amps 1500V
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-264-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV
Id-连续漏极电流: 8 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 8 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 250 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 700 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 26.59 mm
长度: 20.29 mm
系列: IXTK8N150
类型: Linear Power MOSFET
宽度: 5.31 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 1.4 S
下降时间: 95 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 36 ns
单位重量: 10 g
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