型号: IXTN102N65X2
功能描述: MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 76 A
Rds On-漏源导通电阻: 30 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 152 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 595 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: X2-Class
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 50 S
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 67 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
单位重量: 30 g
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：曾小姐，汤小姐
电话：15975398125
Q Q:
联系人：李哲豪
Q Q:
联系人：东柏森电子
Q Q:
