型号:  IXTP01N100D

功能描述:  MOSFET 0.1 Amps 1000V 110 Rds

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220AB-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  1 kV

Id-连续漏极电流:  400 mA

Rds On-漏源导通电阻:  80 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  5.8 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  25 W

配置:  Single

通道模式:  Depletion

封装:  Tube

高度:  9.15 mm

长度:  10.66 mm

系列:  IXTP01N100

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  4.83 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  100 mS

下降时间:  64 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  34 ns

典型接通延迟时间:  7 ns

单位重量:  2.300 g