型号: IXTP110N12T2
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 120V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 120nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6570pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 517W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 14 毫欧 @ 55A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-220AB
封装/外壳： TO-220-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：江小姐
电话：18025419171
Q Q:
联系人：高先生
Q Q:
联系人：肖生
电话：15813135800
Q Q:
