型号: IXTP20N65X
功能描述: MOSFET 650V/9A Power MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 35 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 320 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 9 S
下降时间: 22 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 350 mg
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：胡
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13728706246
Q Q:
联系人：陈晓斌
电话：15220450004
Q Q:
