型号:  IXTP2N60P

功能描述:  MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  600 V

Id-连续漏极电流:  2 A

Rds On-漏源导通电阻:  5.1 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  55 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  PolarHV

封装:  Tube

高度:  16 mm

长度:  10.66 mm

系列:  IXTP2N60

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  PolarHV Power MOSFET

宽度:  4.83 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  1.4 S

下降时间:  23 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  20 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  60 ns

典型接通延迟时间:  28 ns

单位重量:  2.300 g