型号: IXTP3N110
功能描述: MOSFET 3 Amps 1100V 4 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.1 kV
Id-连续漏极电流: 3 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 9.15 mm
长度: 10.66 mm
系列: IXTP3N110
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.83 mm
商标: IXYS
下降时间: 18 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 32 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 350 mg
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：梅良东
电话：13530227631
Q Q:
联系人：卢宝应
电话：15010992316
Q Q:
联系人：陈先生
Q Q:
