型号: IXTP86N20T
功能描述: MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 86 A
Rds On-漏源导通电阻: 29 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 90 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 480 W
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
高度: 16 mm
长度: 10.66 mm
系列: IXTP86N20
类型: Trench Gate Power MOSFET
宽度: 4.83 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 46 S
下降时间: 29 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 24 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 52 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 2.300 g
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