型号: IXTQ-150N06P
功能描述: MOSFET 150 Amps 60V 0.01 Ohm Rds
制造商: IXYS
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 150 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 480 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-3P-3
封装: Tube
商标: IXYS
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 45 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 53 ns
工厂包装数量: 30
典型关闭延迟时间: 66 ns
典型接通延迟时间: 27 ns
单位重量: 5.500 g
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