型号: IXTQ3N150M
功能描述: DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
制造商: IXYS
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.83A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 7.3 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 38.6nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1375pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 73W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3PFP
封装/外壳: TO-3P-3 整包
联系人：Alien
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：Helan
电话：13924672242
Q Q:
联系人：周小姐
电话：13974055393
Q Q:
联系人：陈生
电话：13510269456
Q Q:
