型号: IXTQ60N20T
功能描述: DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3
制造商: IXYS
包装: 管件
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 40 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 73nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4530pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 500W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3P
封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：钟小姐
电话：19925150239
Q Q:
联系人：朱生，陈小姐
电话：13691729768
Q Q:
联系人：叶存
电话：13738123490
Q Q:
