型号: IXTR102N65X2
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 54A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 152nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 10900pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 330W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 33 毫欧 @ 51A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： ISOPLUS247™
封装/外壳： ISOPLUS247™
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：崔
Q Q:
联系人：黄女士
电话：18922814044
Q Q:
联系人：苏月
电话：13312973693
Q Q:
