型号: IXTT10P60
功能描述: Single P-Channel 600 V 1 Ohm 300 W Power Mosfet - TO-268
制造商: IXYS
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 10A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 160nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4700pF @ 25V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 300W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 1 欧姆 @ 5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
封装形式Package： TO-268
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 600V
连续漏极电流ID： 10A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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