型号: IXTT30N60L2
功能描述: MOSFET 30 Amps 600V
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-268-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 335 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
产品: Linear L2 Power MOSFET
系列: IXTT30N60
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 10 S, 18 S
下降时间: 43 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 65 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 123 ns
典型接通延迟时间: 43 ns
单位重量: 6.500 g
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