型号:  IXTT6N120

功能描述:  MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-268-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  1.2 kV

Id-连续漏极电流:  6 A

Rds On-漏源导通电阻:  2.6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  56 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  300 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  5.1 mm

长度:  14 mm

系列:  IXTT6N120

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  High Voltage Power MOSFET

宽度:  16.05 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  3 S

下降时间:  18 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  33 ns

工厂包装数量:  30

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  42 ns

典型接通延迟时间:  28 ns

单位重量:  4.500 g