型号: IXTV26N60P
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 72nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 4150pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 460W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 270 毫欧 @ 500mA，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： PLUS220
封装/外壳： TO-220-3（SMT）标片
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：于简
电话：13632927780
Q Q:
联系人：肖伟
电话：13202669906
Q Q:
联系人：黄先生
电话：83244846
Q Q:
