型号: IXTY08N100P-TRL
功能描述: IXTY08N100P TRL
制造商: IXYS
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 1000V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 800mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 20 欧姆 @ 400mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 11.3nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 240pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 42W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252
封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
联系人：吴先生
Q Q:
联系人：庄文杰
电话：13723754706
Q Q:
