型号: IXTY1R4N120P
功能描述: IXYS/分立半导体产品
制造商: IXYS
标准包装： 75
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.4A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： -
功率 - 最大值： -
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）
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