型号:  IXTY1R6N50P

功能描述:  MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds

制造商:  

制造商:  IXYS

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  500 V

Id-连续漏极电流:  1.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  6.5 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  5.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  30 V

Qg-栅极电荷:  3.9 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  43 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  2.38 mm

长度:  6.22 mm

系列:  IXTY1R6N50

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  PolarHV Power MOSFET

宽度:  6.73 mm

商标:  IXYS

正向跨导 - 最小值:  0.7 S

下降时间:  23 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  26 ns

工厂包装数量:  70

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  45 ns

典型接通延迟时间:  20 ns

单位重量:  350 mg