型号: IXTY4N65X2
功能描述: MOSFET
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 850 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
Qg-栅极电荷: 8.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 80 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HiPerFET
封装: Tube
系列: X2-Class
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 2.5 S
下降时间: 25 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 28 ns
工厂包装数量: 70
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 57 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 2.300 g
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：朱丽娜
电话：15989349634
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李瑞
电话：18666667513
Q Q:
联系人：欧阳莹
电话：13510131896
Q Q:
联系人：高尚
电话：0537-6050843
Q Q:
