型号: IXUC200N055
功能描述:
制造商: IXYS Corporation
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 2mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 200nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 300W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 5.1 毫欧 @ 100A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： ISOPLUS220™
封装/外壳： ISOPLUS220™
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：陈
电话：15012997311
Q Q:
联系人：王镇庚
电话：13790833928
Q Q:
联系人：吴优
电话：13544290005
Q Q:
