型号: IXXN110N65C4H1
功能描述: IGBT 模块 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
制造商:
制造商: IXYS
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.98 V
在25 C的连续集电极电流: 210 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 750 W
封装 / 箱体: SOT-227B-4
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
封装: Tube
系列: IXXN110N65
商标: IXYS
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
商标名: XPT
单位重量: 30 g
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：刘经理
电话：13381567868
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：梅良东
电话：13530227631
Q Q:
联系人：张懿
电话：17727442852
Q Q:
联系人：李先生
电话：13668947656
Q Q:
