型号: IXYP15N65C3D1
功能描述: Igbt 650v 38a 200w To220
制造商: IXYS Semiconductor
IGBT 类型: PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V
580 Current - Collector (Ic) (Max): 38A
Current - Collector Pulsed (Icm): 80A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）: 2.5V @ 15V，15A
Power - Max: 200W
开关能量: 270µJ（开），230µJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 19nC
25°C 时 Td（开/关）值: 15ns/68ns
测试条件: 400V，15A，20 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）: 110ns
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220AB
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