型号: IXZ211N50
功能描述:
制造商:
晶体管类型: RF MOSFET
电压, Vds 最大: 500V
电流, Id 连续: 11A
功耗, Pd: 540W
工作温度范围: -55°C 到 +175°C
上升时间: 4ns
功率, Pd: 540W
在电阻RDS（上）: 600mohm
封装类型: DE-275
封装类型: DE-275
晶体???极性: ?频道
最大功耗: 590W
电压 Vgs @ Rds on 测量: 15V
电压, Vds 典型值: 500V
电容值, Ciss 典型值: 790pF
电流, Idm 脉冲: 60A
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