型号: IXZH08N120
功能描述:
制造商:
晶体管类型: RF MOSFET
电压, Vds 最大: 1.2kV
电流, Id 连续: 8A
功耗, Pd: 300W
工作温度范围: -55°C 到 +175°C
封装类型: TO-247AD
针脚数: 3
上升时间: 4ns
功率, Pd: 300W
在电阻RDS（上）: 2.1ohm
封装类型: TO-247AD
封装类型: TO-247AD
封装类型, 替代: SOT-249
晶体管极性: ?频道
最大功耗: 300W
电压 Vgs @ Rds on 测量: 20V
电压, Vds 典型值: 1.2kV
电容值, Ciss 典型值: 1960pF
电流, Idm 脉冲: 40A
表面安装器件: 通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值: 6.5V
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