型号: J111,126
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： JFET（结点场效应
系列： -
包装： 带盒（TB）
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 40V
漏源极电压（Vdss）： 40V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 20mA @ 15V
漏极电流（Id） - 最大值： -
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 10V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 6pF @ 10V（VGS）
电阻 - RDS（开）： 30 欧姆
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装： TO-92-3
功率 - 最大值： 400mW
其它名称： 568-5810-2568-5810-2-ND568-5810-3934005260126J111,126-ND
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