型号: J112,126
功能描述:
制造商: NXP Semiconductors
晶体管极性： N-Channel
漏源电压 VDS： 40 V
闸/源击穿电压： - 40 V
配置： Single
安装风格： SMD/SMT
封装/外壳： SOT-54
封装/外壳： Ammo
零件号别名： AMO J112
FET 类型： N 沟道
电压 - 击穿（V（BR）GSS）： 40V
漏源电压（Vdss）： 40V
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）： 5mA @ 15V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）： 1V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 6pF @ 10V（VGS）
电阻 - RDS（开）： 50 Ohms
功率 - 最大值： 400mW
工作温度： 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
供应商器件封装： TO-92-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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