型号: JAN2N5416S
功能描述: 2N5416S Series 300 V 1 A PNP Low Power Silicon Transistor - TO-39-3
制造商: Microsemi
系列： 军用，MIL-PRF-19500/485
晶体管类型： PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）： 1A
电压-集射极击穿（最大值）： 300V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 2V @ 5mA，50mA
电流-集电极截止（最大值）： 1mA
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 30 @ 50mA，10V
功率-最大值： 750mW
工作温度： -65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-39（TO-205AD）
无铅情况/RoHs： 否
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