型号: JAN2N6788
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 800mW（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 350 毫欧 @ 6A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-39
封装/外壳： TO-205AF 金属罐
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：张瑞
电话：010-60256869
Q Q:
联系人：张晓杰
电话：13643004246
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13537559222
Q Q:
