型号: JANS2N3636UB
功能描述: Trans GP BJT PNP 175V 1A 3-Pin UB
制造商: microsemi
包装： 3UB
类型： PNP
引脚数： 3
最大集电极发射极电压： 175 V
集电极最大直流电流： 1 A
最小直流电流增益： 25@0.1mA@10V|45@1mA@10V|50@10mA@10V|50@50mA@10V|30@150mA@10V
最大集电极发射极饱和电压： 0.3@1mA@10mA|0.6@5mA@50mA V
工作温度： -65 to 200 °C
最大功率耗散： 1000 mW
安装： Surface Mount
标准包装： Waffle Pack
集电极最大直流电流： 1
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最高工作温度： 200
最大集电极基极电压： 175
标准包装名称： SMD
包装高度： 1.42
最大功率耗散： 1000
最大基地发射极电压： 5
PCB： 3
最低工作温度： -65
包装宽度： 2.74
筛选等级： Military
供应商封装形式： UB
包装长度： 3.25
最大集电极发射极电压： 175
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