型号: JANS2N5003
功能描述: Trans GP BJT PNP 80V 10A 3-Pin TO-59
制造商: microsemi
包装: 3TO-59
类型: PNP
引脚数: 3
最大集电极发射极电压: 80 V
集电极最大直流电流: 10 A
最小直流电流增益: 20@50mA@5V|30@2.5A@5V|20@5A@5V
最大集电极发射极饱和电压: 0.75@250mA@2.5A|1.5@500mA@5A V
最大集电极基极电压: 100 V
工作温度: -55 to 125 °C
最大功率耗散: 2000 mW
安装: Stud
标准包装: Waffle Pack
集电极最大直流电流: 10
欧盟RoHS指令: Not Compliant
最高工作温度: 200
标准包装名称: TO-59
最低工作温度: -65
最大功率耗散: 2000
最大基地发射极电压: 5.5
每个芯片的元件数: 1
最大集电极基极电压: 100
供应商封装形式: TO-59
筛选等级: Military
最大集电极发射极电压: 80
铅形状: Terminal Stud
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