型号: JANS2N5415S
功能描述: Trans GP BJT PNP 200V 1A 3-Pin TO-39
制造商: microsemi
包装： 3TO-39
类型： PNP
引脚数： 3
最大集电极发射极电压： 200 V
集电极最大直流电流： 1 A
最小直流电流增益： 30@50mA@10V|15@1mA@10V
最大集电极发射极饱和电压： 2@5mA@50mA V
工作温度： -65 to 200 °C
最大功率耗散： 750 mW
安装： Through Hole
标准包装： Waffle Pack
集电极最大直流电流： 1
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最高工作温度： 200
标准包装名称： TO-205-AF
包装高度： 6.6(Max)
Package Diameter ： 9.4(Max)
最大基地发射极电压： 6
PCB： 3
最低工作温度： -65
每个芯片的元件数： 1
最大集电极基极电压： 200
供应商封装形式： TO-39
筛选等级： Military
最大集电极发射极电压： 200
最大功率耗散： 750
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