型号: JANTX2N6796
功能描述: MOS cc FET
制造商: Microsemi
制造商: Microsemi
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 8 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 180 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 28.51 nC
最大工作温度:+ 150 C: + 150 C
Pd-功率耗散: 800 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-205AF
封装: Reel
商标: Microsemi
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 45 ns
正向跨导 - 最小值: -
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 75 ns
技术: -
典型关闭延迟时间: 300 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
VendorNumber: 6961
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：朱先生
电话：13642999982
Q Q:
联系人：张
Q Q:
联系人：Frank
Q Q:
