型号: JANTXV2N3501UB
功能描述: mil spec jantxv transistor
制造商: Microsemi
系列： 军用，MIL-PRF-19500/366
晶体管类型： NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）： 300mA
电压-集射极击穿（最大值）： 150V
不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）： 400mV @ 15mA，150mA
电流-集电极截止（最大值）： 10µA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）： 100 @ 150mA，10V
功率-最大值： 500mW
工作温度： -65°C ~ 200°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： UB
无铅情况/RoHs： 否
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