型号:  JANTXV2N5416

功能描述:   Trans GP BJT PNP 300V 1A 3-Pin TO-5

制造商:  microsemi

包装：  3TO-5

类型：  PNP

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  300 V

集电极最大直流电流：  1 A

最小直流电流增益：  30@50mA@10V|15@1mA@10V

最大集电极发射极饱和电压：  2@5mA@50mA V

最大集电极基极电压：  350 V

工作温度：  -65 to 200 °C

最大功率耗散：  750 mW

安装：  Through Hole

标准包装：  Bulk

集电极最大直流电流：  1

欧盟RoHS指令：  Not Compliant

最高工作温度：  200

标准包装名称：  TO-205-AA

最低工作温度：  -65

最大功率耗散：  750

最大基地发射极电压：  6

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  350

供应商封装形式：  TO-5

筛选等级：  Military

最大集电极发射极电压：  300

铅形状：  Through Hole

集电极电流（DC ）：  1 A

集电极 - 基极电压：  350 V

集电极 - 发射极电压：  300 V

发射极 - 基极电压：  6 V

功率耗散：  0.75 W

工作温度范围：  -65C to 200C

包装类型：  TO-5

元件数：  1

直流电流增益：  30

工作温度分类：  Military

弧度硬化：  No

晶体管极性：  PNP