型号: JANTXV2N6790
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 14.3nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 800mW（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 850 毫欧 @ 3.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-205AF（TO-39）
封装/外壳： TO-205AF 金属罐
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13413414855
Q Q:
联系人：李女士
电话：029-89182522
Q Q:
联系人：王俊涛
电话：18312353274
Q Q:
