型号: JANTXV2N6901
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1.69A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 5nC @ 5V
Vgs（最大值）： ±10V
功率耗散（最大值）： 8.33W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 1.4 欧姆 @ 1.07A，5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 通孔
供应商器件封装： TO-205AF（TO-39）
封装/外壳： TO-205AF 金属罐
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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