型号: JCS4N65VB-IPAK
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：117.9W(Tc) 类型：N沟道
制造商: 吉林华微
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 117.9W(Tc)
类型: N沟道
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13916909260
Q Q:
联系人：小冯
电话：18964592030
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：小彭
电话：13302930367
Q Q:
联系人：杨军学
电话：13424281644
Q Q:
