型号: JST60N30T2
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：60A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道
制造商: JESTEK(吉思泰)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 60A
栅源极阈值电压: 3V @ 250uA
漏源导通电阻: 9mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.25W
类型: N沟道
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：蔡永记
电话：18617195508
Q Q:
联系人：昌
电话：17376743487
Q Q:
联系人：朱先生李女士
电话：13424159278
Q Q:
联系人：蔡
电话：13728606958
Q Q:
